Komplexe Fertigung Infineon 2001
Avenida 1 Maio, 801, Porto, P
Neubau einer komplexen Halbleiterfertigung und Entwicklung eines Standortes mit umfangreichen Erweiterungsmöglichkeiten für die Zukunft
Datenblatt
Adresse: Avenida 1 Maio, 801, Porto, Portugal
Architektur: Tröger/Trübsbach Architekten , mra Architekten
Bauherrschaft: Infineon Semi-Conductors
Auftraggeber: Siemens Immobilien Management SIM PA
Planungsbeginn: 1996
Bauende: 2001
Bruttogeschossfläche: 29.000 m2